Naujienos

Tranzistorius gaminamas ant puslaidininkinio pagrindo pagaminant dvi glaudžiai išdėstytas PN jungtis.

Pagal medžiagą: silicio tranzistoriai, germanio tranzistoriai

1947 m. gruodžio 23 d. „Bell Labs“ Murray Hill mieste, Naujajame Džersyje, trys mokslininkai – dr. Bardeen, Dr. Braitonas ir Dr. Shockley atliko ek...

Bipolinis jungties tranzistorius (BJT) yra trijų{0}}galų puslaidininkinis įtaisas, susidedantis iš dviejų PN jungčių, sudarytų iš emiterio, bazės i...

Matuojant tiesioginį poslinkį, ekrane rodoma tiesioginė įtampa (0,5–0,7 V silicio diodams, 0,2–0,3 V germanio diodams).

Stebėkite žymes ant korpuso. Diodo simbolis paprastai yra pažymėtas ant korpuso; galas su trikampe rodykle yra teigiamas gnybtas, o kitas galas yra...

Yra daug diodų tipų. Pagal naudojamą puslaidininkinę medžiagą juos galima suskirstyti į germanio diodus (Ge diodus) ir silicio diodus (Si diodus).

Kristalinis diodas yra ap-n ​​sandūra, sudaryta iš p-tipo ir n-tipo puslaidininkių. Abiejose sąsajos pusėse susidaro erdvės krūvio sluoksnis ir suk...

Diodas yra dviejų-gnybtų įtaisas, sudarytas iš ap-tipo puslaidininkio (ledžiuoto trivalenčiu boru) ir n-tipo puslaidininkio (leiruoto penkiavalenči...